磁头安装器
所有磁性材料最初由随机取向的畴组成。 磁化过程将域旋转到公共对准，并且使得与磁化场对准的那些尺寸增大。 如果可以克服所有各向异性机制，则完全饱和将导致单个对齐的畴。
实际的磁性材料具有内部自消磁场，其在几何极限附近的磁畴中产生不利的取向。 较短的磁体比较长的磁体具有更大的自退磁场（因此更不利的定向畴）。 高的自退磁场有效地将材料复位到其小域，其中巴克豪森响应表现为噪声的初始磁化条件。 阶梯函数域对齐和生长在初始磁化阶段引起巴克豪森噪声。
MR传感器趋向于短，以便减小轨道宽度和最大化面密度。这种物理限制通常导致具有高自去磁场并受巴克豪森噪声影响的单元。为了克服这一点，在坡莫合金带的端部沉积交换偏压膜。两个膜之间的交换耦合克服了感测元件的自退磁场，并且支持近单畴结构。在这种偏置条件下工作消除了巴克豪森噪声，并最大化了对信号输入的磁响应。
为了产生偏置场，必须初始化MR元件。初始化场可以来自电磁体或永磁体，其中每个具有固有的优点和缺点。电磁场可以打开和关闭，但电源和冷却可增加洁净室成本。永磁体组件可以提供所需的场强度和均匀性，但是它们不能被关闭，并且初始成本通常更高。
对于电磁铁方法，我们可以设计磁头强度达到30 kOe（2.4MA / m）的磁头定位器。这些电磁头架具有低残余场，具有ESD防护，并且洁净室兼容。在温度升高到超过预设阈值的情况下，可以内置热互锁来关闭电路。杂散场可以屏蔽接近的磁敏感器件。可以开发用于初始化的高磁场。使用稀土磁铁，我们的设计能够产生高达30+ kOe（2.4MA / m）的间隙磁通密度。工作间隙场大于磁体材料的残余感应。这通过单个磁体段的磁场的叠加来实现。这种设计的特征是间隙中的固有通量平直度和均匀通量密度，它们是通量聚焦的副产品。这些特性确保了磁化参数的严格控制。
头戴式装置的应用包括读/写头制造，MRAM和其他磁存储器件和传感器。
1，帮助我们设计
我们不做头套;我们制造使这些装置能够有效操作的磁性组件。为了制造完美的磁体组件，我们需要知道以下内容：
所需的场强是多少？
1.什么是最需要的甜蜜点？
2.什么是工作差距？
读/写头支架带入和取出磁头所需的间隙是多少？
4.头套的信封是什么？
5.残余场要求是什么？
6.什么是功率占空比？打印头设定器是否连续工作？
7.您的电源能力是多少？
8.什么是杂散场要求？
9.你需要反极性能力吗？
10.你需要内置的热互锁吗？
11.你需要头部安定器是ESD（静电放电）证明吗？
12.你需要头部安装器是否洁净室兼容？
2，材料
永磁体